SI2308DS-T1-GE3 datasheet
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>> SI2308DS-T1-GE3 MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI2308DS-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V
SI2308DS-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
60 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.16 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI2308DS-T1-GE3
SI2309CDS
SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-GE3
SI2309DS
SI2309DS-
供应商
公司名
电话
深圳市百域芯科技有限公司
400-666-5385
林S
深圳廊盛科技有限公司
18682365538
严艺浦
深圳市创芯弘科技有限公司
13410000176
(2014年前十佳IC供应商)
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市百润电子有限公司
17876146278
梁
深圳市创乐电子科技有限公司
13554877245
李创华
林沃田信息技术(深圳)有限公司
0755-82781160
岳先生 田小姐
深圳市诚创信科技有限公司
13135041015
廖敏
SI2308DS-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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