买卖IC网 >> 产品目录 >> SI2308DS-T1-GE3 MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI2308DS-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 60V 2.0A 1.25W 160mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 60 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.16 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23-3
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI2308DS-T1-GE3
SI2309CDS
SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-GE3
SI2309DS
SI2309DS-
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  • SI2308DS-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价